(43)
Определяем напряжения от собственного веса грунта, действующие в уровне подошвы фундамента.
дополнительное давление в уровне подошвы фундамента от сооружения
(44)
Расчётная толщина элементарного слоя
, м (45)
hi = 0,4*3,2 = 1,28 м
Глубина расположения подошвы каждого i-го слоя
(46)
Относительная глубина подошвы i-го слоя
(47)
Глубина расположения подошвы инженерно – геологического элемента
zn1 = H1 - dn = 5,2 – 0,3 = 4,9м
zn2 = zn1 + H2 = 4,9 +4,1 = 9,0м
Нормальное вертикальные сжимающие напряжения на верхней границе каждого элементарного слоя.
(48)
Напряжение от собственного веса грунта
(49)
Выводы по экспериментальной
части
В результате эксперимента установлена принципиальная возможность получения стеклокомпозиционного материала при воздействии СВЧ – излучения.
Подобраны соотношения между составляющими шихты и пенообразователем.
Определены оптимальные параметры спекания в СВЧ – печи. При этом установлено, что 90 % влаги теря ...
Пожарная безопасность
В зависимости от количества пожаро - и взрывоопасных свойств обращающихся в производстве веществ и материалов, а также с учетом особенностей технологических особенностей технологических производств ОНТП – 24 – 86 "Общесоюзными нормами технологического проектирования" установлена методика определен ...
Датчик расхода воздуха
В системе используется интеллектуальный датчик разности давлений серии Метран-100 (модель 1411) [13]. В пункте 2.2.5 представлено его подробное описание.
Передаточную функцию такого элемента можно представить в виде коэффициента усиления КДТВ, который рассчитывается из следующих соображений. Максимальное з ...