(43)
Определяем напряжения от собственного веса грунта, действующие в уровне подошвы фундамента.
дополнительное давление в уровне подошвы фундамента от сооружения
(44)
Расчётная толщина элементарного слоя
, м (45)
hi = 0,4*3,2 = 1,28 м
Глубина расположения подошвы каждого i-го слоя
(46)
Относительная глубина подошвы i-го слоя
(47)
Глубина расположения подошвы инженерно – геологического элемента
zn1 = H1 - dn = 5,2 – 0,3 = 4,9м
zn2 = zn1 + H2 = 4,9 +4,1 = 9,0м
Нормальное вертикальные сжимающие напряжения на верхней границе каждого элементарного слоя.
(48)
Напряжение от собственного веса грунта
(49)
Выводы по экспериментальной
части
В результате эксперимента установлена принципиальная возможность получения стеклокомпозиционного материала при воздействии СВЧ – излучения.
Подобраны соотношения между составляющими шихты и пенообразователем.
Определены оптимальные параметры спекания в СВЧ – печи. При этом установлено, что 90 % влаги теря ...
Исходные данные
· Район строительства – г.Тюмень;
· Демографический состав семьи – количество проживающих 4, в том числе детей 2 (мальчик и девочка);
· Условия для проектирования: несущий материал для стен – газобетон. ...
Определение числа свай, их размещение
и уточнение размеров ростверка
Расчётное количество свай определяется по формулеn=h*Ni/Fd, гдеNi=1,1(Po+Pn+Pp+Pr+Pв)+yf *Рк, кН, Рр = (bpmin* lpmin) * hр*yжб, кН - вес ростверка (ужб = 25 кН/м3 - удельный вес железобетона); h = 1,2 - коэффициент, учитывающий перегрузку отдельных свай от действующего момента.
Рр =(2,9* 10,1) * 1,2*25=0,8 ...