Выведение углов при штукатурных работах

При штукатурных работах на стыке поверхностей углы должны быть острыми и ровными. Поэтому для выведения углов при штукатурных работах используют треугольные полутерки.

Оштукатуривать углы обычными полутерками тоже можно. После загрунтовки угла полутерок ведут по углу сначала снизу вверх, а затем сверху вниз. При необходимости процедуру повторяют. В результате получается гладкая и ровная поверхность угла.

Набрызг.

Набрызг должен полностью покрывать оштукатуриваемую стену, заполняя все имеющиеся неровности. Для деревянных поверхностей толщина слоя должна составлять не более 9мм; для поверхностей из бетона и кирпича максимальная толщина набрызга - 5мм.

Раствор для первого штукатурного слоя разводится до консистенции сметаны. Наносится он набрасыванием штукатурной лопаткой. Первый слой штукатурки должен покрывать всю поверхность стены. Для надежного сцепления с грунтовочным слоем набрызг не разравнивают.

Раствор на стену набрасывается снизу вверх. Чтобы раствор ложился равномерно, следует набирать его на лопатку равными количествами, набрасывать на одинаковом расстоянии от поверхности и с равной силой. Более густой и плотный раствор наносится плавным броском, а жидкий - резким.

Нанесение первого слоя штукатурки - довольно сложный процесс, требующий специальных навыков. Справиться с ним самостоятельно будет непростой задачей.

Грунтовка.

Грунтовочный раствор должен быть более густым, чем тот, что использовался на первом слое. В основном он предназначается для того, чтобы скорректировать неточности, оставленные слоем набрызга.

Грунтовочных слоев, в зависимости от того, насколько проблемная стена вам досталась, может быть несколько. Каждый последующий наносится только после того, как высохнет предыдущий. Необходимо нанести оптимальное количество грунтовочных слоев, как только проверка с помощью деревянной рейки не покажет, что неровности скорректированы. Производится такая проверка следующим образом: ровная рейка, достаточно длинная, чтобы покрыть вертикаль на высоту потолка, прикладывается к поверхности, вертикально и горизонтально, и ко всем имеющимся углам. Чем меньше будет зазор между уровнем и стеной, тем лучше выполнена работа.

После нанесения грунтовки на поверхности (разумеется, еще до высыхания) делаются насечки, которые также нужны для сцепления последнего слоя с поверхностью.

Накрывочный слой.

Это последний, "косметический" этап оштукатуривания стены. Он должен окончательно разровнять поверхность перед декоративной отделкой стены.

Этот слой - наиболее тонкий. Намазывается он при помощи штукатурной лопатки или же соколом, а после нанесения - разравнивается полутерком.

Когда штукатурка чуть схватится, следует разгладить ее при помощи обитой тканью (например, фетровой) теркой, обращая внимание на незначительные дефекты вроде углублений и утолщений. В зависимости от характера неровности, нужно либо проводить теркой с нажимом, заглаживая выступ, либо, напротив, едва касаться вогнутого участка. Некоторое количество раствора, которое неизбежно будет скапливаться н

Расчетная часть. Расчет потребности вяжущих в процессе производства, от момента их поставки на предприятие до момента изготовления бетонной смеси
Расход в сутки – это потребность в вяжущем на момент подачи в бетономешалку без учета потерь на предшествующих стадиях. Поэтому необходимо рассчитать потребность в вяжущем с учетом потерь. Табл.3. Таблица.2. Естественная убыль Технологическая операция ПЦ 300 – Д0 ССПЦ 500 – Д20 ПЦБ 1 – 500 ...

Расчет монолитной плиты перекрытия. Геометрические размеры, определение нагрузок, характеристики бетона и арматуры
Монолитная плита сплошного сечения, защемленная по контуру, толщиной 160 мм в конструктивной ячейке 6 х 6,4 м ( в осях Б-Г и 4-5 ) Рис. 5.6 Схема к расчету монолитной плиты перекрытия. Расчетные пролеты плиты : l1 = 6000-260 = 5740 мм, l2 = 6400-260 = 6140 мм. Соотношение сторон плиты = =< 1,5 - пл ...

Применение реакции фотокатализа в строительных материалах
На современном этапе развития науки фотокатализ определяют как «изменение скорости или возбуждение химических реакций под действием света в присутствии веществ (фотокатализаторов), которые поглощают кванты света и участвуют в химических превращениях участников реакции, многократно вступая с ними в промежуто ...