,
где β - безразмерный коэффициент, равный 0,8;
σzp,icp - среднее значение дополнительного нормального напряжения в i-м элементарном слое грунта, равное полусумме указанных напряжений на верхней zi-1 и нижней zi границах слоя σzp,icp = (σzp,i-1 + σzp,i )/ 2;
hi - толщина элементарного i-го слоя грунта (hi £ 0,4b);
Ei - модуль деформации элементарного i-го слоя грунта;
n - число элементарных слоев, на которые разбита сжимаемая толща основания.
Таблица 3.5 - Подсчет осадки основания
№ слоя |
Глубина подошвы слоя от подошвы фундамента zi,м |
Толщина слоя hi, м |
Коэффициент ζi=2zi/b |
Коэффициент αi |
Напряжение σzp,i на глубине zi, кПа |
Среднее напряжение σzp,iср, кПа |
Модуль деформации Еi, кПа |
Осадка слоя si, м |
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
211,92 |
11000 | ||
2 |
0,4b |
0,4b |
0,8 |
0,8 |
169,536 |
190,728 |
11000 |
0,0187 |
3 |
2x0,4b |
0,4b |
1,6 |
0,449 |
95,152 |
132,344 |
28000 |
0,013 |
4 |
3x0,4b |
0,4b |
2,4 |
0,257 |
54,463 |
74,8075 |
28000 |
0,0029 |
5 |
4x0,4b |
0,4b |
3,2 |
0,16 |
33,91 |
44,1865 |
28000 |
0,0017 |
6 |
5x0,4b |
0,4b |
4,0 |
0,108 |
22,887 |
28,398 |
28000 |
0,0011 |
7 |
6x0,4b |
0,4b |
4,8 |
0,077 |
16,318 |
19,6025 |
28000 |
0,00076 |
8 |
7x0,4b |
0,4b |
5,6 |
0,058 |
12,29 |
14,304 |
28000 |
0,00055 |
Полная осадка основания s = Σsi |
Инженерно-метеорологические изыскания
Инженерно-метеорологические изыскания производятся для того, чтобы выяснить влияние различных физических явлений и процессов, происходящих в атмосфере, на возведение и эксплуатацию инженерных сооружений, на их надежность и долговечность. Например, инженерно-метеорологические изыскания крайне необходимы для ...
Расчет биокоагулятора, встроенного в радиальный отстойник
Объем биокоагулятора определяется по формуле
,
где t=20 мин=0,33ч - продолжительность аэрации сточной воды.
Объем первичных отстойников с биокоагуляторами:
где W1 - объем принятого ранее типового отстойника диаметром 30м
N - количество принятых первичных отстойников - 3 шт.
Общая площадь всех отстой ...
Размножение сирени
Все культурные формы сирени при семенном размножении не повторяют родительских признаков. Они могут быть размножены только вегетативно.
Существуют два способа вегетативного размножения: прививкой и укоренением частей культурного растения. В первом случае к подвою (дичку) приращивают часть культурного расте ...