Расчет осадки основания фундамента под колонну
Страница 2

где β - безразмерный коэффициент, равный 0,8;

σzp,icp - среднее значение дополнительного нормального напряжения в i-м элементарном слое грунта, равное полусумме указанных напряжений на верхней zi-1 и нижней zi границах слоя σzp,icp = (σzp,i-1 + σzp,i )/ 2;

hi - толщина элементарного i-го слоя грунта (hi £ 0,4b);

Ei - модуль деформации элементарного i-го слоя грунта;

n - число элементарных слоев, на которые разбита сжимаемая толща основания.

Таблица 3.5 - Подсчет осадки основания

№ слоя	Глубина подошвы слоя от подошвы фундамента zi,м	Толщина слоя hi, м	Коэффициент ζi=2zi/b	Коэффициент αi	Напряжение σzp,i на глубине zi, кПа	Среднее напряжение σzp,iср, кПа	Модуль деформации Еi, кПа	Осадка слоя si, м
1	0	0	0	1	211,92		11000
2	0,4b	0,4b	0,8	0,8	169,536	190,728	11000	0,0187
3	2x0,4b	0,4b	1,6	0,449	95,152	132,344	28000	0,013
4	3x0,4b	0,4b	2,4	0,257	54,463	74,8075	28000	0,0029
5	4x0,4b	0,4b	3,2	0,16	33,91	44,1865	28000	0,0017
6	5x0,4b	0,4b	4,0	0,108	22,887	28,398	28000	0,0011
7	6x0,4b	0,4b	4,8	0,077	16,318	19,6025	28000	0,00076
8	7x0,4b	0,4b	5,6	0,058	12,29	14,304	28000	0,00055
Полная осадка основания s = Σsi

Страницы: 1 2 3

Изменение сечения главной балки по длине
Место изменения сечения главной балки находится на расстоянии х=(1/6)∙lГБ =(1/6)·12=2 м=200см. Определяем внутренние расчетные усилия в месте изменения сечения: , где х=(1/6)∙. М1= (2,01∙200∙(1200-200))/2=20100 кН∙см; =2,01∙(1200/2-200)=804 кН Определяем требуемые г ...

Исходные данные
Исходные параметры студии табл. 1 ...

Экологические изыскания
Строительство и эксплуатация разнообразных по своему назначению зданий и сооружений неизбежно вызывают нежелательные изменения в окружающей среде: нарушается естественный режим поверхностных и подземных вод, истощаются их запасы, загрязняется окружающая среда отходами производства, в результате повышения ур ...

Расчет осадки основания фундамента под колоннуСтраница 2

Категории сайта

Расчет осадки основания фундамента под колонну
Страница 2